Wafer Là Gì

  -  
Wafer là một trong miếng silibé mỏng manh chừng 30 mil (0.76 mm) được giảm ra từ bỏ tkhô nóng silinhỏ hình trụ. Thiết bị này được áp dụng cùng với bốn giải pháp là vật tư nền nhằm cấp dưỡng vi mạch tích hòa hợp (bạn ta “cấy” lên trên đó hầu hết vật tư khác nhau nhằm tạo nên phần đông vi mạch cùng với gần như công năng khác biệt. Vật liệu đó thường là những kim loại tổng hợp như: GaSb, GaAs, GaP… ). Đa số, các vi mạch bây chừ mọi được tiếp tế bằng cách cấy wafer khác nhau nhằm tạo ra hồ hết vi mạch cùng với rất nhiều công dụng khác biệt, phụ thuộc vào môi trường xung quanh ứng dụng của vi mạch nhưng chọn lọc những wafer phù hợp.

Bạn đang xem: Wafer là gì


*

Các wafer bao gồm kích cỡ trung bình từ bỏ 25,4mm (1 inch) – 200mm (7.9 inch). Với sự cải cách và phát triển của ngành technology vi mạch hiện thời, những nhà sản xuất vi mạch nổi tiếng bên trên quả đât như Intel, TSMC hay Samsung sẽ nâng kích cỡ của wafer lên 300milimet (12 inch), thậm chí còn lên 450milimet (18 inch). Việc form size wafer được tạo thêm vẫn tạo cho giá thành của một vi mạch trở buộc phải khôn cùng tốt. do vậy, trong quá trình chế tạo, trường hợp phân phối được wafer càng bự thì chi phí phân phối đã sút (vì chưng tiết kiệm chi phí được vật liệu sản xuất).Quy trình chế tạo WaferSản xuất wafer là 1 các bước cực kỳ trở ngại với yên cầu tương đối nhiều kỹ năng. Đa số những doanh nghiệp lớn cung ứng hiện giờ rất nhiều áp dụng bình thường một các bước.
*

1. Chuẩn bị tnóng wafer
Đây là bước tinh chế (giải pháp xử lý hóa học)cát (SiO2) thành Silic nguim hóa học (99.9999%). Silic sẽ tinh lọc được nung chảy và đổi mới thỏi hình trụ.Silic nguim hóa học sẽ được pha thêm tạp chất là những nguyên tố đội 3 hoặc đội 5. lấy một ví dụ pha B sẽ tiến hành wafer một số loại p, trộn P. sẽ ra wafer loại n.Những thỏi silic đósẽ tiến hành thái thành những tnóng tròn 2 lần bán kính 200mm(8 inch)hoặc 300mm(12 inch)với bề dày cỡ 750um với được đánh trơn cho tới lúc chúng gồm bề mặt tuyệt vời và hoàn hảo nhất, nhẵn bóng như gương. Có những cửa hàng chăm tiếp tế silinhỏ wafer. Chẳng hạn Shin"Etsu là công ty hỗ trợ khoảng 40% silibé wafer cho Thị Trường cung cấp dẫn nước Nhật. Giá một tấm wafer 200mm khoảng chừng đôi mươi USD.
*

*

*
Chíp trần, sau khi giảm ra khỏi tấm silinhỏ, được xếp vào trong những kgiỏi và tiếp nối được hàn bên trên các form sản xuất sẵn hotline là Lead frame, xem 1b ngơi nghỉ hình phía bên trên (cùng hình ảnh mặt là Leadframe của Alcatel Microelectronics) mà lại trải qua đó chúng ta có thể tháo dỡ gắn chíp trên những mạch năng lượng điện tử một giải pháp dễ dãi. Ở công đoạn này mỗi nhà cung cấp đang gạn lọc cho mình đa số dây truyền công nghệ phù hợp cùng với năng suất sản xuất cũng tương tự năng lực tài chính. Trừ những nhà sản xuất phệ, nhiều phần những đơn vị nhỏ cùng vừa hay chọn lọc các thiết bị hàn die nhân lực (manual) hoặc cung cấp tự động hóa. Ở quy trình này, chíp trần được gắp bởi bút chân không hoặc kẹp chân không (ảnh). Kỹ thuật này cho phép giữ chíp một giải pháp chắc hẳn rằng đôi khi không có tác dụng tổn định hại mang lại bề mặt chíp.

Xem thêm: Lễ Truy Điệu Là Gì ? Quy Định Lễ Truy Điệu Là Gì


*
Tại một số thiết bị (nlỗi của hãngWESTBOND), kỹ sư chế tạo máy đã tích hợp thêm 1 hộp động cơ vào đầu gắp chân không, được cho phép đặt chíp vào đúng vị trí của leadframe bằng phương pháp chỉnh méo dưới kính hiển vi quang học hoặc CCD camera. Hai kỹ thuật thường được sử dụng để lắp die lên phía trên leadframe đó là kỹ thuật eutectic với nghệ thuật sử dụng keo dán giấy dính.
Kỹ thuật hàn cần sử dụng băng keo dính
- ngơi nghỉ chuyên môn này fan ta thường được sử dụng những hợp chất có đặc thù kết dính giỏi như polyimide, epoxy hoặc keo dán giấy bạc có tác dụng vật tư hàn Lúc đính chíp lên leadframe. Sau lúc xác minh được vị trí tương hợp giữa die cùng thông số kỹ thuật trên leadframe, die sẽ tiến hành đẩy ra khỏi bút chân không, nén lên phía trên mặt phẳng của epoxy cùng quy trình hàn hoàn thành.
Kỹ thuật hàn eutectic, hay được áp dụng trong đóng gói kín đáo, áp dụng kim loại tổng hợp cùng tinh nhằm gắp die lên trên mặt leadframe. Kỹ thuật hàn tiên tiến này dựa vào Việc thực hiện vật liệu hàn tạo nên hợp kim thuộc tinch ở 1 điều ánh nắng mặt trời đặc biệt làm sao kia, cùng điểm nóng tan của kim loại tổng hợp thường thấp hơn Khi nó ngơi nghỉ dạng sắt kẽm kim loại đơn nhất. Hợp klặng Au-Si, Au-Sn hoặc Pd-Si hay được sử dụng rộng thoải mái trong chuyên môn này. Để gắn thêm được die lên leadframe trước tiên tín đồ ta đậy một tấm kim cương cùng với độ dầy cân xứng lên trên bề mặt leadframe hoặc die).

Xem thêm: Bảng Ngọc Bổ Trợ Ahri Mùa 11 Lol, Hướng Dẫn Ahri Mua 11 Lol


Trong quy trình hàn, ánh sáng cao đã có tác dụng khuếch tán những phân tử silic tự bề mặt die lên lớp đá quý của leadframe, tạo ra cùng tinh Au-Si (ví dụ, hợp kim Au-Si với 2.85% Au tất cả điểm trung tâm chày nghỉ ngơi 3630C). lúc hàn người ta đã nâng nhiệt độ cao hơn Tm một chút, hay là cỡ 10°C so với nhiệt độ eutectic dẫn tới sự liên khuếch tán giữa hóa học rắn cùng chất lỏng ngơi nghỉ mặt phẳng ngăn cách. Hợp kim eutectic kế tiếp hoá rắn và được gia công giá. Hợp phần, điểm cùng tinc của một một số trong những hợp kim được liệt kê trong bảng sau đây.